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馬場 信一; 石原 正博; 鈴木 世志夫*; 高橋 常夫*; 星屋 泰二
JAERI-Data/Code 2002-008, 126 Pages, 2002/03
JAERI-Data-Code-2002-008.pdf:4.82MB
高温工学試験研究炉(HTTR)を用いた高温工学に関する先端的基礎研究の課題は、次に示した3分野が選定されている。(1)新素材・材料開発分野,(2)放射線化学・核融合関連分野,(3)高温照射技術・その他原子力関連分野。これら3分野のうち7研究課題がHTTRを用いた照射試験の有効性を調べるための予備試験を実施中で、これらの中から平成15年度から開始予定のHTTR照射試験を実施する研究テーマとして、(1)新素材・材料開発分野の中から次の3研究課題が選択されている。第1次(平成15年度)及び第2次(平成16年度)照射試験ホルダーに試験片を装荷した。(1)中性子転換ドーピングによる高温・SiC半導体創製の研究,(2)高温酸化物超伝導材料の照射による特性改良の研究,(3)耐熱セラミックス複合材料の照射損傷機構に関する研究。本報告書は、第1次及び第2次HTTR照射試験用ホルダーと装荷した試料に関する技術データーについてまとめたものである。
水落 憲和*; 磯谷 順一*; 山崎 聡*; 瀧澤 春喜; 森下 憲雄; 大島 武; 伊藤 久義
Materials Science Forum, 389-393, p.497 - 500, 2002/00
被引用回数：3 パーセンタイル：16.11(Materials Science, Multidisciplinary)室温で3MeV電子線を照射(4
10
e/cm
)したn型4H-及びp型6H-SiC半導体中の欠陥を電子常磁性共鳴法(EPR)を用いて分析した。試料への光照射を行うことで、近接原子との超微細相互作用に起因するT
シグナルを新たに見出した。超微細構造の強度及び対称性を解析した結果、このシグナルはシリコン単一空孔に関連した欠陥であることが判明した。
大島 武
ニューセラミックス, 10(5), p.20 - 27, 1997/05
シリコンカーバイド(SiC)半導体を電子デバイスへ応用するには、選択的な不純物ドープ技術の確立が重要である。本研究室では、高温イオン注入を用いてSiCへ不純物ドーピングを試みている。そこで本解説記事では、イオン注入方法から、試料の評価方法までを述べた。特に評価では、ESRやフォトルミネッセンスの結果を中心に結晶欠陥低減化に関することを述べた。また、注入試料の電気特性についても、シート抵抗、ホール系数測定の結果を中心に解説した。
